Физические основы электроники (Задача № 2, вариант 4, БашГУ)

Дата изготовления: январь 2021 года.

Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.

Задача № 2

Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. р- область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить:

а) высоту потенциального барьера , ширину р-п перехода ,ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ;

б) ) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ;

в) высоту потенциального барьера и ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ;

г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S;

д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м.

е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с учетом полученных расчетных данных и соблюдением масштаба.

Таблица №2

№ варианта ND, см-3 NA, см-3 Vпр, В Vобр, В S, см2

4

0,45 15