ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Раздел
Технические дисциплины
Предмет
Автотранспорт
Тип
Контрольная работа
Просмотров
130
Покупок
0
Эксперт
Размещена
22 Ноя 2012 в 01:32
ВУЗ
-
Курс
Не указан
Стоимость
490 ₽
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, уникальность минимум 40%.
zip
181.doc
90.3 Кбайт 490 ₽
22 Ноя 2012 в 01:32
Описание
для того чтобы получить эту работу или задать какие то вопросы по ней, вам необходимо пройти по регистрационной ссылке
https://studwork.org/?p=281
пройти регистрацию и тогда вы сможете приобрести и задать вопросы по этой работе.

1. Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К.
2. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде индия при 300К, если ширина его запрещенной зоны 0,33 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc = 0,023m0, mv=0,43m0. Определить удельное сопротивление материала, если Мn=33000 см2/В*с, Мр = 460 см2/В*с.
3. Обратный ток насыщения полупроводникового диода Is=1 мкА, при t1=27oC и Is= 10мкА при t2=65оС. Постройте вольтамперную характеристику этого диода при температурах 27 и 65оС, если напряжение изменяется от -2 до 0,5 В. Определите коэффициент выпрямления для диода для каждой температуры при +/- 0,5В.
4. Определить ЭДС Холла, возникающую в пластине германия толщиной 0,5 ммс собственной электропроводимостью при температуре Т=300 К, если в доль пластины проходит электрический ток I=10 мА. Вектор магнитной индукции(В=0,6 Тл) перпендикулярен плоскости пластины. Собственная концентрация носителей заряда равна 2,2*1019м -3.
5. изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник n-типа, Ам больше Аn для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) подано прямое смещение; в) подано обратное смещение. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х.
6. От какого парамеира полупроводникового материала зависит высота потенциального барьера p-n-перехода при одинаковой концентрации примесей в n- и p- областях. В каком из полупроводниковых материалов – арсениде галлия или фосфиде галлия – больше контактная разность потенциалов.
Оглавление
-
Список литературы
-
Другие готовые работы  
Ответы на билеты Билеты
20 Мая 2020 в 14:57
175
0 покупок
Тест Тест
13 Мая 2020 в 13:22
711
1 покупка
Тест Тест
13 Мая 2020 в 13:16
776
0 покупок
Доверьте свою работу экспертам
Разместите заказ
Наша система отправит ваш заказ на оценку 43 632 авторам
Первые отклики появятся уже в течение 10 минут
Показать ещё
Показать ещё
Отвечай на вопросы, зарабатывай баллы и трать их на призы.
Подробнее
Прямой эфир