Легирование диффузией

Раздел
Технические дисциплины
Предмет
Просмотров
367
Покупок
0
Антиплагиат
Не указан
Размещена
2 Апр 2013 в 22:46
ВУЗ
ННГУ им. Лобачевского
Курс
4 курс
Стоимость
300 ₽
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
легирование диффузией
87.9 Кбайт 300 ₽
Описание
Эксперимент проводился на 3-х образцах кремния и отожженных при различных температурах. Из полученных данных, что глубина залегания p-n перехода и коэффициент диффузии зависят от температуры отжига. Были определены параметры диффузии: предэкспоненциальный множитель и энергия активации .
Вам подходит эта работа?
Другие работы автора
Электроника
Лабораторная работа Лабораторная
3 Апр 2013 в 19:28
522
0 покупок
Другое
Лабораторная работа Лабораторная
3 Апр 2013 в 17:17
342
0 покупок
Другое
Лабораторная работа Лабораторная
2 Апр 2013 в 22:55
449
0 покупок
Микроэлектроника
Курсовая работа Курсовая
2 Апр 2013 в 22:39
811
1 покупка
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир