Получение маскирующих покрытий в планарной технологии

Раздел
Технические дисциплины
Предмет
Просмотров
448
Покупок
0
Антиплагиат
Не указан
Размещена
2 Апр 2013 в 22:55
ВУЗ
ННГУ им. Лобачевского
Курс
4 курс
Стоимость
300 ₽
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
маск покрытия
352.4 Кбайт 300 ₽
Описание
Все методы нанесения маскирующих покрытий можно разделить на две группы [1].
1.Методы, в которых образование пленок происходит за счет окисления самой кремниевой подложки (термическое и анодное окисление).
2. Методы, в которых происходит осаждение маскирующих покрытий из внешней фазы на любые подложки (пиролитическое осаждение, плазмен¬ное анодирование и т.д.).
В планарной технологии наиболее распространенным является метод высокотемпературного окисления. Особенно широкое распространение получили методы окисления кремния в сухом, влажном кислороде и парах воды. Термически выращенный окисел Si02 обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими качествами.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другое
Контрольная работа Контрольная
27 Мар в 11:51
5
0 покупок
Другое
Задача Задача
26 Мар в 12:20
13 +1
1 покупка
Другое
Контрольная работа Контрольная
21 Мар в 21:25
14 +1
0 покупок
Другое
Контрольная работа Контрольная
21 Мар в 21:24
12 +1
0 покупок
Другое
Контрольная работа Контрольная
21 Мар в 21:22
8
0 покупок
Другие работы автора
Электроника
Лабораторная работа Лабораторная
3 Апр 2013 в 19:28
520
0 покупок
Другое
Лабораторная работа Лабораторная
3 Апр 2013 в 17:17
338
0 покупок
Другое
Лабораторная работа Лабораторная
2 Апр 2013 в 22:46
362
0 покупок
Микроэлектроника
Курсовая работа Курсовая
2 Апр 2013 в 22:39
806
1 покупка
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир