Квантово-механические основы электроники (вариант 2, АлтГТУ)

Дата изготовления: сентябрь 2020 года.

Всего 6 задач

Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.

Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 28.11.2020 г. составила 70%.

III.2. На пути электрона с длиной волны де Бройля, равной 0,1 нм, находится потенциальная ступенька высотой 120 эВ. Определить длину волны де Бройля после прохождения барьера.

IV.2. Найти постоянную решетки и расстояние между ближайшими соседними атомами кристалла алюминия. Решетка гранецентрированная кубической сингонии.

VII.2. Какова вероятность найти электрон на нижнем уровне зоны проводимости при комнатной температуре (Т = 300 К): а) в собственном германии; б) в собственном кремнии; в) в алмазе (Eg= 5,6 эВ)? Объясните физический смысл полученных результатов. На какие свойства полупроводника влияет ширина запрещенной зоны?

VIII.2. Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1см3. Найти положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны при температуре Т = 300 К.

IX.2. Образец германия легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2⋅106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при Т = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4⋅l028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре.

X.2. Определить удельные сопротивления кремния p-типа проводимости при T = 300 К, если концентрации акцепторной примеси Na равны 1014 и 1018 см-3 .