Контрольная работа "Расчет полевого транзистора с изолированным затвором"(м/у Легостаев) Т

Раздел
Технические дисциплины
Просмотров
388
Покупок
0
Антиплагиат
Не указан
Размещена
9 Окт 2012 в 06:15
ВУЗ
ТУСУР
Курс
Не указан
Стоимость
400 ₽
Демо-файлы   
1
docx
демо твердотельная электроника демо твердотельная электроника
98.9 Кбайт 98.9 Кбайт
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
zip
контрольная текстовая.doc
192.2 Кбайт 400 ₽
Описание
Расчет полевого транзистора с изолированным затвором
Технические требования: полупроводник- кремний; материал затвора- алюминий; подзатворный диэлектрик-диоксид кремния; канал индуцированный p-типа электропроводности; толщина подзатворного диэлектрика d=0,1 мкм; ширина канала Z= 100 мкм; длина канала L=10 мкм; концентрация акцепторной примеси ; концентрация донорной примеси ;плотность поверхностных зарядов ; подвижность электронов в канале ;контактная разность потенциалов МДП-структуры относительная диэлектрическая проницаемость диоксида кремния ; рабочая температура Т=300К.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
ТОЭ - Теоретические основы электротехники
Контрольная работа Контрольная
1 Апр 2013 в 07:05
411
0 покупок
Электроника
Контрольная работа Контрольная
9 Окт 2012 в 06:05
346
0 покупок
Электроника
Контрольная работа Контрольная
9 Окт 2012 в 05:54
372
0 покупок
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир