разработка топологии гибридно-пленочного интегрального устройства

разработать топологию

Микросхема усилителя может быть изготовлена по тонкопленочной технологии с применением навесных элементов.

Для формирования проводников, резисторов и контактных площадок используется метод фотолитографии, а для формирования конденсаторов – масочный. На поверхности подложки сформируем пленочные резисторы, конденсаторы, а также контактные площадки и межэлементные соединения.

Пленочная технология не предусматривает изготовление транзисторов и диодов, поэтому они выполняются в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы. Выводы транзисторов и диодов припаиваются к соответствующим контактным площадкам.