Разработка GaN оптоэлектронных компонентов с использованием жертвенного слоя AlInN на примере: микродисков, РБО (DBR) и вертикально излучающих лазеров (VCSEL)
Разработка GaN оптоэлектронных компонентов с использованием жертвенного слоя AlInN на примере: микродисков, РБО (DBR) и вертикально излучающих лазеров (VCSEL)