Исследование полупроводниковых светодиодов с перестройкой длинны волны излучения

1. Цель проекта

Изучение возможностей перестройки длины волны генерации в полупроводниковых диодах и разработка основ теоретического макета лазерного диода

2. Перечень задач (этапов) для достижения поставленной цели

1. Литературный обзор по актуальности научного исследования получения полупроводниковых диодов с перестройкой длины волны излучения, области технического применения таких устройств.

2. Литературный обзор по технологическим приемам конструирования полупроводниковых диодов с изменением длины волны излучения.

3. Проведение экспериментальных работ по изучению спектральных характеристик лабораторных образцов

4. Проведение исследований по разработке теоретического макета устройства

5. Верификация результатов и оформление курсового проекта

Сроки выполнения

1.11.2023-29.02.2024

01.03.2024-10.03.2024

11.03.2024-28.03.2024

29.03.2024-20.04.2024

21.04.2024-10.05.2024

3. Перечень исходных источников (материалов), рекомендуемых руководителем к использованию:

1. Астахова А.П., Баранов А.Н., Висе А., Именков А.Н., Колчанов Н.М.. Стоянов Н.Д., Черняев А., Яреха Д.А., Яковлев Ю.П. Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2,0-2,4 мкм // Физика и техника полупроводников. -2003. – т. 37. – в. 4. – с. 502 – 507.

2. Феру Ф., Мак-Крамб Л. Техника перестройки лазеров, генерирование волн от ультрафиолета до инфракрасного света // Фотоника. – 2007. – в. 3. – с. 34- 40.

3. Грачев А.С. Об изменении длины волны излучения светодиода от величины p-n перехода // Международный научный журнал «Символ науки». – 2023. – в. 4-1. – с. 12-13.

4. Подписка журнала «Физика и техника полупроводников» https://journals.ioffe.ru/journals/2 с 2018 по 2023 год.