Провести расчет основных параметров полевого транзистора: UОТС , R0 , IСmax , S(UЗ = 0)

Задание №5

1.Провести расчет основных параметров полевого транзистора: UОТС , R0 , IСmax , S(UЗ = 0).

2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ = 0 и UЗ = 0,5UОТС и передаточную ВАХ для области насыщения.

Данные к расчету:

Материал – кремний, тип ПТУП − n-канальный

Концентрация атомов примеси в подзатворной области Na = 1018 см-3

Концентрация атомов примеси в канале Nd = 3∙1016 см-3

Толщина канала d0 = 1мкм

Длина канала L = 20 мкм

Ширина канала W = 500 мкм

Подвижность электронов в канале μn = 1200 см2 /Вс

Задание №6

1.Провести расчет основных параметров МДП транзистора: UПОР , СД , b.

2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ = UПОР и UЗ = 2UПОР и передаточную ВАХ для области насыщения.

Данные к расчету:

Материал – кремний, тип МДП-транзистор − p-канальный

Концентрация атомов примеси в подложке Nd = 3∙1015 см-3

Длина канала L = 10 мкм

Ширина канала W = 100 мкм

Толщина подзатворного диэлектрика tд = 0,2 мкм

Подвижность дырок в канале μp = 200 см2 /Вс

Удельный поверхностный заряд Qпов = 2∙10-8 Кл/см2