Силовая электроника
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Быстродействие IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В активном режиме работы биполярного транзистора
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В резонансных силовых преобразователях
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Динамическими параметрами силового диода являются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К аппаратам высокого напряжения не относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К недостаткам МОП-транзисторов относится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Конструктивно симистор представляет собой
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Оптотиристор – это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Основная функция силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Особенностью МОП-транзисторов является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Плоскостные диоды
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Силовой диод содержит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Симистор – это тиристор, который может
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Ток стока IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Транзистор - это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Транзисторы Дарлингтона используют для
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
IGBT транзистор не находит применение в области
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
SIT транзисторы производятся с каналами
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов