Расчет усилительного каскада

1. Тема расчетно-графической работы: «Расчет усилительного каскада»

2. Исходные данные (записываются в соответствии с вариантом задания):

- вариант № 14, тип усилителя: усилительный каскад с ОЭ;

- номиналы резисторов: Rг =0,2 кОм; Rн =1,5 кОм; Rк =0,91 кОм; Rэ =0,15 кОм;

- параметры транзистора h11э =0,7 кОм; h21э=100, h22э=25 мкСм;

- ЭДС источника питания Епит = 10 В.

3. Содержание расчетно-пояснительной записки (перечень подлежащих разработке вопросов):

- расчет по постоянному току усилительного каскада ОЭ;

- расчет по переменному току усилительного каскада ОЭ;

- расчет по переменному току усилительного каскада ОЭ;

- разработка требований к предельно допустимым параметрам элементов схемы;

- определение стандартных номиналов резисторов;

- обобщение результатов расчетов.

РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ РАБОТА

«РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА»

1 Цель работы

Овладение методикой расчета транзисторных усилительных каскадов графоаналитическим методом.

2 Задание на расчетно-графическую работу

1) Задать координаты рабочей точки каскада, обеспечивающей его работу в классе (режиме) усиления «А». Для чего на выходной ВАХ транзистора

IК = f(UКЭ) построить нагрузочные линии по постоянному и переменному току и указать (выбрать) положение рабочей точки (UКЭ0; IК0).

2) Рассчитать сопротивления резисторов Rб1 и Rб2, обеспечивающих задание выбранной рабочей точки.

3) Рассчитать параметры режима транзистора по постоянному току: Uб0, Iб0, UК0, IК0, UЭ0, IЭ0.

4) Рассчитать малосигнальные параметры каскада в области средних частот:

RВХ , RВЫХ , Ku , Ke , Ki .

5) Определить требования к предельно-допустимым параметрам элементов схемы:

- для транзистора – Iк max, Uкэ max, Pк max;

- для резисторов – PRi max;

- для источника сигнала – Ег max.

6) Выбрать стандартные номиналы резисторов (из рядов Е12, Е24) и стандартные значения их габаритных мощностей.

7) Обобщить результаты расчетов и сформулировать выводы о основных технических параметрах каскада и условиях его нормального функционирования.

Дано:

ЕПИТ = 10 B ;

RГ =0,2 кОм= 200 Ом; RК =0,91 кОм= 0,91∙103 = 910 Ом; RН = 1,5 кОм= 1,5∙103 Ом;

RЭ =0,15 кОм= 150 Ом.

Параметры транзистора:

h11Э=rб+(β+1)rЭ = 0,7 кОм= 700 Ом; h21Э=β=100 ;

h22Э=1/rк =25[мкСм]=25 ∙ 10-6 Сим.