Разработка технологии изготовления фрагмента интегральной системы

Курсовая работа по дисциплине "Процессы планарной технологии" + расчётный документ

СОДЕРЖАНИЕ

Введение………………………………………………………………………..4

Исходные данные для технического проектирования.……………............5

Выбор и расчет режимов проведения технологической операции

Расчет режимов проведения технологической операции для метода двухстадийной диффузии (формирование областей биполярного транзистора)..…..................................................................................5

Формирование резистивного слоя:………………………………...10

Чертёж кристалла в поперечном сечении………………………………...11

Эскиз (перечень) основных этапов формирования фрагмента ИС……..13

График распределения концентрации примеси в структуре………….....14

Заключение……………………………………………………………….........15

Список использованной литературы…………………………………………16

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур: Учеб. пособие/ГЭТУ. – СПб. - 1994. – 68с.
2. Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем. – СПб. - 1995.
3. Технология СБИС: в 2 кн./под ред. С.Зи. - М.: Мир, 1986.